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基于Navitas NV6252和TI UCC28780 的 30W TPYE C PD充电器方案
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方案概述：
该30W TPYE C PD充电器方案基于Navitas NV6252和TI UCC28780，采用小型化设计。TI UCC28780是高频有源箝位反激式控制器，具有自动调谐技术和可变开关频率控制律。Navitas NV6252是非对称半桥GanFet，具有Gate drive功能和低损耗优势。该方案具有高效率、高功率密度和多重保护功能。输入电压范围广泛，输出多种电压选项。该方案适用于小型化充电器需求。
基于Navitas NV6252和TI UCC28780的30W TPYE C PD充电器方案是一个小型化的壁式Type C PD充电器设计。该方案采用了TI UCC28780控制器与Navitas NV6252半桥GanFet相结合，以满足小型化需求。
TI UCC28780是一款高频有源箝位反激式控制器，工作频率可达1MHz。它具有先进的自动调谐技术、自适应死区时间优化和可变开关频率控制律。通过使用自适应多模控制，该控制器可以根据输入和输出条件进行调整，以实现高效率的同时降低可听噪声。
Navitas NV6252是一款非对称半桥GanFet，适用于ACF架构。它具有Gate drive功能，可以降低高频操作时的杂音影响。与Si MOSFET相比，NV6252具有超低输入和输出电容、零反向恢复和降低开关损耗等优势。这些优势使得该方案可以实现密集且高效的拓扑结构。
该方案的核心技术优势包括：
1. 可操作在ZVS，操作频率高达1MHz，利于小型化。
2. 5V功耗仅为75mW，效率高达91.5%。
3. 每立方英寸功率密度达到22.42 W/in。
方案的规格如下：
1. 输入电压范围：90Vac~264Vac。
2. 输出：15V/2A、12V/2.5A、9V/3A、5V/3A。
3. 保护功能：过压保护（OVP）、过功率保护（OPP）、过温保护（OTP）。
4. 工作频率范围：200KHz~360KHz。
该方案来源于大大通公司。
以上是基于Navitas NV6252和TI UCC28780的30W TPYE C PD充电器方案的解决方案描述。
TI UCC28780是一款高频有源箝位反激式控制器，工作频率可达1MHz。它具有先进的自动调谐技术、自适应死区时间优化和可变开关频率控制律。通过使用自适应多模控制，该控制器可以根据输入和输出条件进行调整，以实现高效率的同时降低可听噪声。
Navitas NV6252是一款非对称半桥GanFet，适用于ACF架构。它具有Gate drive功能，可以降低高频操作时的杂音影响。与Si MOSFET相比，NV6252具有超低输入和输出电容、零反向恢复和降低开关损耗等优势。这些优势使得该方案可以实现密集且高效的拓扑结构。
该方案的核心技术优势包括：
1. 可操作在ZVS，操作频率高达1MHz，利于小型化。
2. 5V功耗仅为75mW，效率高达91.5%。
3. 每立方英寸功率密度达到22.42 W/in。
方案的规格如下：
1. 输入电压范围：90Vac~264Vac。
2. 输出：15V/2A、12V/2.5A、9V/3A、5V/3A。
3. 保护功能：过压保护（OVP）、过功率保护（OPP）、过温保护（OTP）。
4. 工作频率范围：200KHz~360KHz。
该方案来源于大大通公司。
以上是基于Navitas NV6252和TI UCC28780的30W TPYE C PD充电器方案的解决方案描述。
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