liuli_2012

为了实现隔离全桥驱动电路，我们可以采用以下解决方案：

首先，我们需要一个低压逻辑信号和高功率电桥之间的接口。为此，我们可以使用一个由高功率开关MOSFET组成的H电桥。这个电路可以通过低电平逻辑信号来控制，提供了一个方便的接口。

为了实现隔离，我们可以使用ADG787这样的低压CMOS器件。它内置了两个独立可选的单刀双掷(SPDT)开关，可以将2.5 V的控制信号转换为5 V的逻辑电平。这样，我们可以将低电平逻辑信号与高功率电桥之间进行隔离。

接下来，我们可以使用ADuM7234这样的隔离式半桥栅极驱动器。它采用ADI公司的iCoupler®技术，提供独立且隔离的高端和低端输出。这使得我们可以专门在H电桥中使用N沟道MOSFET。使用N沟道MOSFET有多种好处，包括导通电阻较低、切换速度较快、功耗较低等。

最后，我们可以使用ADuC7061这样的低功耗、基于ARM7的精密模拟微控制器。它集成了脉宽调制(PWM)控制器，可以通过适当的电平转换和调理来驱动H电桥。这样，我们可以实现对H电桥的精确控制。

综上所述，通过使用高功率开关MOSFET组成的H电桥、低压CMOS器件、隔离式半桥栅极驱动器和精密模拟微控制器，我们可以实现隔离全桥驱动电路。这个电路可以应用于电机控制、带嵌入式控制接口的电源转换、照明、音频放大器和不间断电源(UPS)等领域。