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方案概述:
该解决方案基于ADF4350,实现了宽带低EVM直接变频发射机。通过锁相环和宽带VCO,支持500 MHz至4.4 GHz的RF频率范围。谐波滤波和低噪声LDO确保了出色的正交精度和相位噪声性能。该设计采用超低噪声调节器供电,优化了VCO相位噪声和推挤效应。附件中还提供了RF输出滤波器原理图。推荐该设计用于宽带低EVM直接变频发射机项目。
本解决方案基于ADF4350的宽带低EVM直接变频发射机参考设计,旨在模拟基带输入和RF输出。通过使用锁相环(PLL)和宽带集成电压控制振荡器(VCO),该电路能够支持500 MHz至4.4 GHz范围内的RF频率。PLL中的LO执行谐波滤波,以确保提供出色的正交精度。此外,低噪声LDO确保电源管理方案对相位噪声和EVM没有不利影响。这种器件组合可以提供500 MHz至4.4 GHz频率范围内业界领先的直接变频发射机性能。
在本设计中,ADF4350采用超低噪声3.3 V ADP150调节器供电,以实现最佳LO相位噪声性能。而ADL5375则采用5 V ADP3334 LDO供电。ADP150 LDO的输出电压噪声仅为9 μV均方根值,有助于优化VCO相位噪声并降低VCO推挤(相当于电源抑制)的影响。
此外,附件资料中还提供了ADF4350 RF输出滤波器原理图,供参考使用。
对于可能感兴趣的项目设计,我们推荐宽带低误差矢量幅度(EVM)直接变频发射机参考设计。该设计基于ADF4350,旨在实现宽带低EVM的直接变频发射机。通过合理选择器件和优化电路设计,可以实现出色的性能和可靠性。
以上是基于标题和提供的内容生成的工业领域解决方案。
在本设计中,ADF4350采用超低噪声3.3 V ADP150调节器供电,以实现最佳LO相位噪声性能。而ADL5375则采用5 V ADP3334 LDO供电。ADP150 LDO的输出电压噪声仅为9 μV均方根值,有助于优化VCO相位噪声并降低VCO推挤(相当于电源抑制)的影响。
此外,附件资料中还提供了ADF4350 RF输出滤波器原理图,供参考使用。
对于可能感兴趣的项目设计,我们推荐宽带低误差矢量幅度(EVM)直接变频发射机参考设计。该设计基于ADF4350,旨在实现宽带低EVM的直接变频发射机。通过合理选择器件和优化电路设计,可以实现出色的性能和可靠性。
以上是基于标题和提供的内容生成的工业领域解决方案。
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